SK하이닉스, 美 인디애나에 HBM 생산 기지 착공…차세대 7나노 HBM 양산 목표

AI 핵심 HBM, 미국에서 최초로 생산된다

SK하이닉스가 미국 인디애나주 웨스트라피엣에서 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 어드밴스드 패키징 공장(팹) 기공식을 개최했습니다. 이 공장은 미국에서 최초로 HBM을 생산하는 기지가 되며, 연간 수십만 장 규모의 HBM을 양산할 예정입니다. 2028년 10월 클린룸 완공 후 이듬해 하반기부터 양산이 시작될 것입니다.

 

 

 

 

미국 공급망 강화 및 경제·안보 기여

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 인디애나 팹이 '메이드 인 USA' HBM을 처음 공급하는 핵심 거점이자, 미국 반도체 공급망 강화 및 경제·안보에 기여하는 주요 기반이 될 것이라고 밝혔습니다. 미국 정부는 칩스법에 따라 보조금과 대출을 지원하며, 약 7천 명의 직간접 일자리 창출이 기대됩니다.

 

 

 

 

차세대 HBM 개발 및 연구 협력 강화

인디애나 팹에서는 최신 D램 12장을 쌓은 6세대 HBM에 이어, 현재 개발 중인 7세대 HBM4E 생산을 목표로 합니다. SK하이닉스는 차세대 HBM 개발 및 테스트를 위해 퍼듀대학교와 협력 양해각서(MOU)를 체결하여 우수 인재 유치 및 연구 개발 역량을 강화할 계획입니다.

 

 

 

 

SK하이닉스, 미국 내 HBM 생산 거점 확보

SK하이닉스가 미국 인디애나에 최첨단 HBM 생산 기지를 구축하며 글로벌 AI 반도체 시장에서의 입지를 더욱 공고히 합니다. 이는 미국 내 공급망 강화와 경제 안보에 기여하는 중요한 발걸음이 될 것입니다. 차세대 HBM 양산을 통해 미래 AI 산업을 선도할 것으로 기대됩니다.